HNP22N055SLE_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET拥有30A的最大漏极电流能力，能够满足中等功率应用的需求。其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压环境下的电路设计。导通电阻为22mΩ，有助于降低功耗并提高整体效率。此外，支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET适合用于消费电子产品、家用电器以及各种需要精确控制与高效能源管理的场合，是实现稳定可靠的开关和电源管理功能的理想选择。
