HSI2306BDST1E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:28mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备5.8A的连续漏极电流（ID），可在最高30V（VDSS）的电压下工作。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用场合，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关等。其出色的电气特性使其成为高性能电路设计的理想选择。
