HRD3L01BATTL1_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:64mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备20A的漏极电流承载能力和60V的漏源电压耐受度，适用于多种电子设备中。其导通电阻仅为64mΩ，有助于降低系统能耗，提高工作效率。最大栅源电压为20V，保证了良好的驱动兼容性和稳定性。该产品适合应用于电源控制、信号处理等领域，是实现高效电路设计的理想选择。
