HFQA28N50_TO-3P_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3P 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:28A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:150mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力，能够承受高达500V的漏源电压，导通电阻为150mΩ，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。其栅源电压范围达到20V，确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。
