HRD3P175SNFRATL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管拥有20A的最大漏极电流ID，适用于需要处理较大电流的应用场合。其最大漏源电压VDSS为100V，能够在相对较高的电压环境中稳定工作。80mΩ的低导通电阻RDON有助于减少能量损耗，提高整体效率。同时，20V的栅源电压VGS确保了良好的开关特性。该MOSFET适合用于各类消费电子设备中的电源转换、负载控制等场景，是实现高效能与紧凑设计的理想选择。
