HFDG6332C_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.8A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:320mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管（MOSFET）属于NP沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为0.8A，在保证安全使用的前提下，可承受的最大电压（VDSS/V）为20V。当栅源电压（VGS/V）达到12V时，此MOSFET可以实现有效的开关控制。此外，其导通电阻（RDSON/mR）仅为320毫欧，这意味着在导通状态下，该元件能有效地减少能量损耗，提高电路效率。这些特性使得它非常适合用于一般电子设备中的电源管理及信号放大等应用场景中。
