HNTD6414ANT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管具备30A的最大漏极电流ID，能够满足较大电流负载的需求。其最大漏源电压VDSS为100V，适用于多种高压环境下的应用。35mΩ的低导通电阻RDON有助于显著降低功耗，提高系统效率。栅源电压VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。该MOSFET非常适合用于消费电子设备中的电源管理、开关电路以及需要高效能转换的应用场合。
