HDMN62D0UDWQ13_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大工作电流（ID）为0.1A，漏源极间最大电压（VDSS）为60V，导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1300毫欧，以及所需的栅源电压（VGS）为20V。该MOSFET适用于多种电路设计中作为开关或放大元件，特别是在需要精确控制的小电流应用中，例如电池供电的装置或是家用电器内的微控制器接口等。
