HIRL530NSPbF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达15A的连续漏极电流，具备100V的漏源电压承受能力。其导通电阻为100毫欧姆，确保了较低的功耗和良好的热性能。该器件可在不超过20V的栅源电压下稳定工作，适用于多种电子设备中的高效开关与电源管理应用。凭借其优异的电气特性和可靠性，这款MOSFET适合用于需要高性能、低损耗解决方案的小型至中型电子产品设计中。
