HIPD650P06NM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:55mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET），标称电流为20A，最大漏源极间电压(VDSS)达到60V，导通电阻(RDS(on))为55毫欧，并能在最高20V的栅源极电压(VGS)下稳定工作。这些特性使其成为电源转换、信号调制等应用的理想选择，特别适用于需要快速响应和高效能表现的电路设计中。其出色的电气性能和可靠性，能够满足各种精密电子设备的需求。
