HAM7630N_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管(MOSFET)为NN沟道设计，支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)，适用于高功率需求的应用。其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压(VGS)为20伏特，确保了良好的驱动性能。该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。
