HSQ7415AEN_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:55mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款20A额定电流的P沟道MOSFET，具备60V的漏源极断态电压（VDSS）和55毫欧的导通电阻（RDSON）。其最大栅源极电压（VGS）为20V，确保了良好的开关特性和低功耗。该场效应管适用于各种电子电路中的电源转换、信号调制等应用，能够实现精准的电流控制和高效的能量转换，同时保持系统的稳定性和可靠性。
