HSQD40N0614LGE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流ID为50A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS，适用于需要处理中等功率的应用场合。其导通电阻RDON为11mΩ，有助于降低工作时的能耗并提高整体效率。栅源电压VGS支持至20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。此MOSFET非常适合用于电子设备中的开关控制、电源管理以及信号调节等领域，满足对快速响应时间和可靠性的要求。
