HFDMC6675BZ_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备32A的额定漏极电流（ID），能够承受高达30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻仅为10mΩ，确保了较低的功耗和较高的效率。该器件支持最大25V的栅源电压（VGS），适用于多种电子设备中需要高电流承载能力和快速开关速度的场合，如消费电子产品中的电源控制、信号转换等领域。凭借优秀的电气特性，它是实现紧凑且高效设计的理想选择。
