HNTTFS5116PLTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:70mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管具备优良的电气特性，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流为20A，能够满足较高功率需求的应用场景；耐压值达到60V，保证了在较宽电压范围内的稳定工作。导通电阻仅为70mΩ，有效降低了功耗，提高了效率。栅源电压范围支持至20V，确保了良好的控制性能。凭借这些特点，该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合，是设计紧凑且高效电路的理想选择。
