HDMC3016LDV7_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:16A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该场效应管(MOSFET)是一款高性能的NP沟道器件，支持最大漏极电流16A，具备高达30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为14毫欧姆(RDON)，保证了在工作时的低损耗特性。栅源电压(VGS)为20V，适用于多种电子设备中对效率和空间有较高要求的应用场景。此款MOSFET结合了N沟道与P沟道的优势，在电源管理、信号切换及放大电路等领域展现出优异性能。
