HCSD18534Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:65A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效电源管理系统及负载开关电路。其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率传输并降低发热。栅极驱动电压（VGS）为20V，具备良好的开关特性与稳定性。器件适用于消费类电子、通信设备及便携式产品的电源转换、电机控制和电池管理等应用场景。
