HFQD11P06TM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:125mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。栅源电压范围为20V，适合于需要精确控制的应用场合。凭借这些特性，该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中，以实现稳定可靠的电路性能。
