HDMG2305UXQ7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET支持4.2A的连续漏极电流和20V的漏源电压，适用于各种电子设备。其导通电阻为48mΩ，有助于降低能耗并提高电路效率。最大栅源电压达到12V，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET非常适合用于消费电子产品中的开关控制、电源管理和信号处理等场景，能够满足对性能稳定性和可靠性有较高要求的应用需求。
