HNTR2101PT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道MOSFET具备5A的连续漏极电流能力与20V的漏源击穿电压，适用于多种电子电路设计。其低至35mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件支持最大12V的栅源电压，确保了良好的兼容性。凭借这些特性，它非常适合用于消费类电子产品中的电源开关、负载管理以及逻辑电平转换等场合，为用户提供稳定可靠的性能表现。
