HNTD2955T4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:125mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管支持10A的连续漏极电流，具备60V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少功率损耗并提高整体效率。栅源电压范围达到20V，使得该MOSFET适用于各种电路设计中需要较高电流处理能力和快速开关特性的场合。它非常适合用于消费电子设备中的电源控制、负载切换等应用领域，能够满足对性能与可靠性有严格要求的设计需求。
