HNVR5124PLT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET支持2A的连续漏极电流，最大漏源电压可达60V。其导通电阻为160毫欧姆，在栅源电压不超过20V时能够稳定工作。适用于消费电子、家用电器及个人电子设备中的电源管理和信号控制应用。凭借优异的电气性能和稳定性，该MOSFET有助于提高电路效率并减少能量损耗，是多种小型电子装置的理想选择。
