HBSS84AK215_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:50V 参数3：RDON:2000mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于低功耗应用，具有0.1A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为2000mΩ，适用于对尺寸和功耗有严格要求的场景。栅源电压范围达到20V，确保了良好的开关性能。该MOSFET适合于便携式设备、小型电子装置及需要精密控制的小信号电路中，如电池供电设备中的负载切换或逻辑电平转换等场合。
