HIRFR9120NTRPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:125mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET的最大连续漏极电流为10A，能够承受高达60V的漏源电压。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少能量损失并提高效率。该器件支持20V的栅源电压，适合在需要高效开关操作和良好热性能的应用中使用，例如消费电子产品中的电源管理和信号路径控制等场景。其优异的电气特性使其成为实现紧凑设计和高性能电路的理想选择。
