HMDD1902_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:18mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款50A额定电流的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源极断态电压（VDSS）和18毫欧的导通电阻（RDSON）。其栅源极电压（VGS）可高达20V，确保了卓越的开关性能和低热损耗。该元件适用于多种电子设备中的电源管理和信号处理，如电池充电器、电源适配器以及便携式电子产品中的快速开关和高效转换，确保系统运行的高效性与稳定性。
