HBSS1237F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.2A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:2800mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)支持0.2A的连续漏极电流(ID)，具有高达100V的漏源电压(VDSS)耐受能力，适用于高压低电流环境。其导通电阻(RDON)为2800mΩ，在确保电路安全的同时提供可靠的开关功能。栅源电压(VGS)范围达到20V，使其能够良好地适应各种控制信号需求。此MOSFET非常适合用于需要精确控制的小功率应用中，比如小型电源转换器、LED照明控制系统以及各类便携式设备内部的保护电路等场景。
