HFDD5680_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电流承载能力和较低的导通电阻，其连续漏极电流ID可达50A，最大漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为11mΩ，确保了高效能表现。器件支持的栅源极电压VGS范围至20V，适用于需要快速开关响应和低损耗的应用场景。该MOSFET凭借其优异的性能，是构建高效电源转换器、信号放大及各类电子装置中不可或缺的关键元件。
