HSI4946CDYT1GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款NN沟道场效应管具有良好的电气性能，适用于多种电子设备。其关键参数包括最大连续漏极电流ID为6.5A，能够承受最高达60V的漏源电压VDSS，保证了在较高电压环境下的可靠性；导通电阻RDON为32mΩ，有助于降低系统功耗；栅源电压VGS支持至20V，使得该MOSFET易于被各种控制器驱动。它特别适合于需要紧凑设计与高效能转换的应用场景，例如消费类电子产品中的开关电路或电源转换器等。
