HIRLML2060TRPBF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)具有3A的连续漏极电流(ID)能力和60V的漏源电压(VDSS)，适用于中等功率需求的应用。其导通电阻仅为72mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适合用于电源管理电路、消费电子设备中的开关控制以及各种家用电器内部的小型电机驱动等领域，是实现高效能电力转换和信号处理的理想选择。
