HPMV280ENEA_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:210mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET支持高达3A的连续漏极电流和100V的最大漏源电压，适用于需要较高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为210毫欧姆，有助于降低功耗。栅源电压范围达到20V，提供了良好的开关控制性能。该器件非常适合用于消费电子、家用电器等领域中的电源转换、负载开关及放大电路等用途。
