HDMG1013T7_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.66A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:260mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有0.66A的连续漏极电流(ID)，能够承受高达20V的漏源电压(VDSS)，适用于需要良好开关特性的场景。其导通电阻(RDON)为260毫欧姆，确保了较低的能量损耗与高效能表现。此MOSFET还支持最大12V的栅源电压(VGS)，使得它在各种电子电路中易于驱动和控制。凭借这些特性，该产品非常适合用于要求紧凑设计且对效率有较高要求的应用场合，如消费电子产品内部的电源管理模块等。
