HNVATS4A104PZT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道MOSFET场效应管，具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于要求严苛的电路设计。其导通电阻仅为5.5mΩ，确保了低功耗和高效能表现。该元件支持最高25V的栅源电压（VGS），能够稳定工作于各种电压环境中。此款MOSFET因其优异的电气特性，特别适合应用于需要快速开关响应和高效率转换的电子产品中，如电源管理、信号处理等场景。
