HDMP2045UQ7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET，具有最大漏极电流5A，漏源电压20V，导通电阻35mΩ，以及12V的栅源电压阈值。这些特性使其非常适合应用于需要精准电流控制和低损耗的电路中，例如电源开关、电池管理系统及便携式电子设备内的信号路径控制。其紧凑的设计和高效的性能，为电路设计者提供了优化系统效率和可靠性的理想选择。
