HSiRA18BDP_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:45A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
