HSI4153_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.8A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.8安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为100毫欧，在8伏的栅源电压下工作稳定，适合用于要求低功耗和高效率的电路设计。该MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于电源转换、电池管理以及各类电子设备中的信号处理与保护电路，能够提供可靠的性能表现。
