HFDN302P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道MOSFET场效应管提供5安培的连续漏极电流（ID）以及20伏特的最大漏源电压（VDS），适用于多样化的电子设备中。它拥有35毫欧的低导通电阻（RDS(on)），在12伏特的栅源电压（VGS）下工作表现尤为突出，保证了高效率和低热量产生。此元件非常适合用于电源管理、信号切换和保护电路等应用领域，是提升系统性能的理想选择。
