HAM3930N_SOT-23-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-6L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.5A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET场效应管具有4.5A的最大连续漏极电流和30V的漏源极击穿电压。其导通电阻仅为29毫欧，确保了在高电流应用中拥有较低的功率损耗。该器件的栅源极电压范围为12V，适用于多种电路设计，能够实现高效的开关操作。适用于电源管理、电池充电保护及各类消费电子产品中的信号处理与转换。
