HSTL90N3LLH6_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道MOSFET场效应管具有90A的最大连续漏极电流和30V的漏源极击穿电压，展现出卓越的大电流承载能力。其极低的3.5毫欧导通电阻，有效降低了工作时的发热，提高了能效比。该器件支持高达20V的栅源极电压，保证了在各种复杂电路环境下的稳定性和可靠性。适合应用于高性能电源供应、快速充电解决方案以及精密电子设备中的开关控制电路。
