HSI2102A_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:49mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有2安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为49毫欧，在12伏的栅源电压下可实现高效的电流控制。此MOSFET适用于需要精确调节电流和快速开关响应的电路，例如电源管理、信号处理和电子设备中的负载切换。它的小尺寸和高性能使其成为紧凑型设计的理想选择。
