HSTD46P4LLF6_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET场效应管，拥有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源极耐压（VDSS），适合应用于需要大电流和中等电压条件下的电路中。其极低的导通电阻（RDON）仅为10mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。支持±20V的栅源电压（VGS），为设计者提供了广泛的电压操作范围。该元件特别适用于要求高效能和低热生成的设备，例如电源转换器、电池管理系统以及各类便携式电子设备中的开关应用。
