HSI2318CDST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，适用于广泛的电路设计中。其最大漏极电流ID可达5A，击穿电压VDSS为40V，确保了在高电压环境下的稳定工作。导通电阻RDON低至30mΩ，在大电流应用中能有效减少发热，提高效率。栅源电压VGS范围宽至20V，为驱动提供了灵活性。此MOSFET适合用于电源管理、信号切换等精密控制场合，能够满足高性能要求。
