HSI2319DST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:68mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的连续漏极电流（ID）和40V的最大漏源电压（VDSS），适用于多样化的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为68mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，确保了在低电压条件下仍能保持良好的导电性能和较低的能耗。此元件广泛适用于电源转换、信号处理等应用领域，尤其在需要高效能和低热产生的情况下表现优异，是众多电子设备的理想选择。
