HSI4850EYT1GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和60V的最大漏源电压（VDSS），适用于广泛的电路设计需求。其导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下操作，保证了低损耗和高效的性能。该元件特别适合应用于电源管理、电池充电电路以及各种消费电子产品中，作为开关或放大元件，能够实现精确控制和稳定运行。
