HSi2321DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）的关键参数包括：最大漏极电流ID为4.2A，最高漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为48mΩ，以及栅源电压VGS范围为±12V。这款MOSFET适用于多种需要精确控制电流的电路中，比如电源转换器、电池保护电路及电子设备中的开关控制。它凭借较低的导通电阻和良好的热稳定性，能够有效降低能耗，提升电路的整体效率。此外，其小巧的设计便于集成到各种紧凑型设备中，满足多样化的设计需求。
