HBUK7240100A118_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流ID可达30A，耐压值VDSS高达100V，导通电阻RDON仅为35mΩ，在VGS为20V时表现尤为优异。适用于需要高效能与低损耗的电路设计中，如电源转换、信号放大及开关控制等应用场景，能够有效提升系统的稳定性和效率。
