HFDD5614P_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:64mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET场效应管，具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源极耐压（VDSS），确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻（RDON）仅为64mΩ，在保证高效能的同时，有效降低了发热。该元件支持±20V的栅源电压（VGS），增强了电路设计的灵活性。适用于需要精确电流控制和快速开关响应的电子产品中，如电源管理、信号放大等场合。
