HFDD4243_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:25A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:31mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备强大的电气性能，最大漏极电流(ID)可达25A，耐压值(VDSS)为40V，导通电阻(RDS(on))为31mΩ，支持25V的栅源电压(VGS)。这些特性使得它非常适合用于各种需要高效电流控制的场合，例如电源供应器、电池管理系统以及消费类电子产品的电路设计中，能够实现精准的电流控制与高效的能量转换，同时保证系统的稳定性和可靠性。
