HMCG30N03ATP_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压可达30V，导通电阻仅为7.5mΩ，栅源电压范围为±20V。该器件适用于高效能开关应用，如电源管理、电池充电控制和负载切换等场景。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，紧凑的封装设计使得它在有限空间内也能灵活部署。
