HNTTFS4C10NTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有35安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，适用于需要高电流承载能力的应用。其导通电阻仅为7.5毫欧，有助于减少工作过程中的能量损失和发热量，提升系统效率。该MOSFET支持的栅源极电压范围为±20伏特，提供了灵活的驱动选项。适用于电源适配器、充电器、开关电源及电子负载等场合，是实现高效能转换和控制的理想选择。
