HPNMT30V6_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:28mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达5.8A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为28mΩ，在VGS=12V的工作条件下表现尤为优异。该元件适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等场合，能够有效提升电路效率与稳定性，同时其紧凑的设计有利于节省空间，便于集成到各种电子设备中。
